OTSUKA广州代理OTSUKA 光谱干扰晶圆厚度计 SF-3 大塚电子-藤野贸易（广州）有限公司

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光学式により非接触・非破壊での厚み測定が可能スペクトル解析後による条件出し高速でリアルタイムに研磨モニタが可能保護フィルム、窓材など中間層越しの計測が可能多層厚み解析独自解析エンジンを搭載（特許出願中）厚み測定に最適な独自の解析アルゴリズムを採用（特許取得済み）厚み分布を自動でマッピング可能
測定項目
膜厚解析（5層）
用　途
Si部材の厚み評価シリコン、化合物半導体の研削評価用 1.3mm　次世代450mmウェーハ 775µm　300mmウェハ TSVウェーハ（ビア上Si膜やSi層膜測定）シリコンウェーハ以外の素材にも幅広く対応（SiO2、樹脂膜）仕　様
型式 SF-3 厚み測定範囲 0.1µm～10µm、15µm～1000µm、10µm～775µm * 、50µm～1600µm* 繰り返し精度 0.01%以下測定時間最速200µs（5kHz）測定用光源半導体光源測定径最小φ6µm WD 10mm以上の任意の距離による寸法 123（W）×224（D)×128（H）mm（突起物を除く） *　ただし表面状態による
12インチウェーハ以下高速マッピング可能なコンパクトマッピング仕様
高速Rθステージ　SF-3Rθ

特　長

Rθ可動軸による高速マッピング仕様コンパクト設計マッピングステージ半導体プロセス装置への組込み可能（組込みマッピング仕様）オリフラ、ノッチの画像認識機能分光干渉法により非接触・非破壊で高い再現性を実現貼り合せウェハの薄膜ボンディング、Si厚み、サポート基板のトータル厚み測定多層厚み測定が可能オリフラ、ノッチの画像認識によるウェーハ面内高精度位置決めを実現　

仕　様
型式 SF-3Rθ 光学系光学プローブ厚み測定範囲 0.5 ～ 1600µm * 可動軸 Rθ 測定径 φ6、φ9、φ500µm ステージ面サイズ φ300mm 可動軸ストローク R軸：±150mm、θ軸：360° ウェーハサイズ 300ｍｍ以下計測時間 61ポイント/60ｓ以下最大駆動速度 150ｍｍ/ｓステージ分解能 10µｍ以下繰り返し位置決め精度 50µｍ以下その他機能画像処理によるオリフラ及びノッチ合わせ機能吸着あり特注アライメント対応、ローダ対応
*　分光器のタイプに依存

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